[10p-M116-1~22] 9.1 誘電材料・誘電体

[10p-M116-1] 溶液法IGZO中の酸素空孔密度の組成比依存性および深さ分布

〇森本 貴明^1,3、楊 宜橙^1,3、福田 伸子³、大木 義路^1,2 (1.早大 先進理工、2.早大 材研、3.産総研FLEC)

キーワード：X線光電子分光、酸化物半導体、組成比

溶液法IGZOを用いたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、Gaが少なくInが多いほどオン電流が大きく酸素空孔密度が少ないという結果から、酸素空孔が少ないときにオン電流が大きくなる事が分かった。また、酸素空孔の密度は、膜の表層付近において大きいことから、膜表面をチャネルとするトップゲート型薄膜トランジスタの場合には、表層を削るなどの対策が必要と考えられる。