[10p-M116-1~22] 9.1 誘電材料・誘電体

△ [10p-M116-7] K(Ta, Nb)Si₂O₇単結晶の作製と誘電特性の評価

〇(M1C)大沼 美穂¹、武田 博明¹、鶴見 敬章¹、保科 拓也¹ (1.東工大物質理工)

キーワード：強誘電体、単結晶、シリケート化合物

KNbSi₂O₇（KNS）はペロブスカイト構造の間にSiO₄四面体が入り込んだ構造をとる新規強誘電体である。その強誘電性は、NbO₆八面体内でNb⁵⁺が [001]に変位するために起こることが第一原理計算によって明らかになっており、また単結晶を用いた評価によってc軸方向に強誘電性を示すことが報告されている。本研究では、KNSのNbイオンの一部をTaで置換したKTa_xNb_1-xSi₂O₇ (KTNS, x = 0−0.3)の単結晶を作製し、その結晶構造や誘電・強誘電特性を評価した。