2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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13 半導体 » 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[10p-PA4-1~7] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

2019年3月10日(日) 13:30 〜 15:30 PA4 (屋内運動場)

13:30 〜 15:30

[10p-PA4-6] 金属をエミッタとするシリコン/フッ化物多重障壁共鳴トンネルダイオードの理論解析

市川 研佑1、利根川 啓希1、廣瀬 皓大1、三上 萌1、福山 聡史1、熊谷 佳郎1、渡辺 正裕1 (1.東工大工学院)

キーワード:半導体、共鳴トンネルダイオード