[10p-PA7-1~8] 9.5 新機能材料・新物性

[10p-PA7-2] 第一原理計算を用いたTlInS₂におけるドープによる電子状態解析

〇石川 真人¹、中山 隆史¹、脇田 和樹²、沈 用球³、Nazim Mamedov⁴ (1.千葉大理、2.千葉工大工、3.大阪府大工、4.アゼルバイジャン科学アカデミー)

キーワード：第一原理計算、ドーピング

Tl系化合物半導体は低次元の結晶構造を構成し、TlInS₂はTl原子が2次元の層状構造を示す。構造解析実験の結果から低温ではIncommensurate相が存在することが報告され、Feをドープすると吸収スペクトルが上昇することから、機能性材料への応用が期待されている。しかしドーピングのメカニズムを解明する理論的なアプローチはなされてはいない。そこで我々は第一原理計算を用いてドーピングによる電子構造と光学特性のメカニズムについて解析を行った。