[10p-PA7-1~8] 9.5 新機能材料・新物性

△ [10p-PA7-8] スパッタリングで形成したTa薄膜における電気抵抗率の歪み誘起1/f雑音

〇(B)上杉 良太¹、小峰 啓史¹、水野 将臣¹、安藤 亮²、赤羽 秀郎¹ (1.茨城大学、2.ITIC茨城)

キーワード：Ta薄膜、1/f雑音

本研究では，スパッタリングで形成したTa薄膜の電気抵抗率，及び，雑音測定を行い，薄膜の結晶構造と抵抗雑音の関係について調べた．
その結果，歪んだ結晶相の存在を電気抵抗率ゆらぎによって評価できる可能性を示唆した．