[10p-PA8-1~39] 17 ナノカーボン（ポスター講演）

[10p-PA8-10] プラズマCVD におけるグラフェン成長初期過程の偏光解析モニタリング

〇林 康明¹、野々村 秋人¹、川上 栞生¹、三瓶 明希夫¹、中野 美尚²、塚原 尚希²、村上 裕彦² (1.京都工繊大、2.アルバック未来研)

キーワード：グラフェン、偏光解析、プラズマCVD

マグネトロンプラズマCVD 法によりグラフェンを成長し、その場偏光解析法を用いて表面状態の変化を追跡して、基板表面の変化やグラフェンの核発生・成長過程について解析を行った。その結果、次のことが分かった。
SiO₂表面上ではグラフェン成長中の変化が大きいのに対して、Si表面上では前処理過程にやや変化があるもののグラフェン成長中の変化は極めて小さい。Si表面上では前処理後は顕著な変化が見られないことから、グラフェンの核生成前に非晶質炭素の堆積や表面改質等は生じていない。SiO₂とSi上での変化の違いは核発生密度の違いを示し、Si上では核発生密度が極めて低い。