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[10p-PA8-18] Ir(111)/α-Al2O3(0001)基板上で作製したCVDグラフェンの電気的特性
キーワード:グラフェン、CVD、Ir
化学気相成長 (CVD) は、グラフェンの優れた電子輸送特性を最大限に活用できる単結晶のグラフェンを大面積で作製できる可能性がある技術として産業応用の観点から広く研究されている。本研究ではスパッタリング法により作製した単結晶のIr(111)/α-Al2O3(0001)基板上で作製したCVDグラフェンの電気的特性の評価に取り組むと共に、電気的特性の向上に向けて最適な基板作製条件・CVD条件の検討を行った。発表では、その結果について報告する。