4:00 PM - 6:00 PM
[10p-PA8-35] Analysis of the abrupt switching in the graphene tunnel FETs
Keywords:Graphene, First principle analysis, Tunnel Field Effect Transistors
現在,トンネルトランジスタ(TFET)における低オン電流の問題を解決できる素子として, グラフェンナノリボン(GNR)をベースとしたTFETが研究されている. 本研究では、室温下でサブスレッショルド係数SS < 60 mVdecを達成するために必要な素子寸法について解析した。また、小さいバンドギャップでも急峻なSSが得られる構造を新たに考案・解析した.