[10p-PA8-1~39] 17 ナノカーボン（ポスター講演）

[10p-PA8-35] グラフェントンネルFETにおける急峻スイッチング特性の解析

〇鈴木 俊英¹、ハマム アーメド¹、ムルガナタン マノハラン¹、シュミット マレク¹、水田 博^1,2 (1.北陸先端大、2.日立ケンブリッジ)

キーワード：グラフェン、第一原理解析、トンネルトランジスタ

現在,トンネルトランジスタ（TFET）における低オン電流の問題を解決できる素子として, グラフェンナノリボン（GNR）をベースとしたTFETが研究されている. 本研究では、室温下でサブスレッショルド係数SS < 60 mVdecを達成するために必要な素子寸法について解析した。また、小さいバンドギャップでも急峻なSSが得られる構造を新たに考案・解析した.