[10p-PB3-1~12] 3.11 フォトニック構造・現象

[10p-PB3-5] 透明電極を用いたフォトニック結晶集積型ナノワイヤ受光器

〇滝口 雅人^1,2、佐々木 智²、舘野 功太^1,2、Chen Edward²、野崎 謙悟^1,2、Sergent Sylvain^1,2、倉持 栄一^1,2、Zhang Guoqiang^1,2、新家 昭彦^1,2、納富 雅也^1,2 (1.NTT NPC、2.NTT 物性研)

キーワード：フォトニック結晶、ナノワイヤ、フォトディテクタ

半導体ナノワイヤは内部に量子井戸が埋め込み可能で、静電容量も非常に小さいため、高速動作するオンチップ光電素子を可能にする。これまで我々は高速に動作するシリコンフォトニック結晶上の通信波長帯ナノワイヤレーザ[1]や、ナノワイヤLED[2]、全光スイッチ[3]を作製した。今回は、フォトニック結晶にp-i-n構造を持つInPナノワイヤを導入し、ZnO透明電極を用いることで、世界で初めてシリコンチップ上のフォトニックナノ構造に集積した単一ナノワイヤ光検出器を作製した。
[1] M. Takiguchi, et.al., APL Photonics, 2, 046106 (2017)
[2] M. Takiguchi, et.al., Appl. Phys. Lett., 112, 251106 (2018)
[3]滝口, 他, 本応物