The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

Presentation information

Poster presentation

3 Optics and Photonics » 3.13 Semiconductor optical devices

[10p-PB4-1~23] 3.13 Semiconductor optical devices

Sun. Mar 10, 2019 4:00 PM - 6:00 PM PB4 (PB)

4:00 PM - 6:00 PM

[10p-PB4-11] Electric properties of Ga2O3/c-Se photodiode

Keitada Mineo1, Shigeyuki Imura1, Kazunori Miyakawa1, Masakazu Nanba1, Hiroshi Ohtake1, Misao Kubota1 (1.NHK STRL)

Keywords:image sensor, selenium, gallium oxide

高感度なイメージセンサーに向けて、酸化ガリウム/結晶セレンを用いたアバランシェフォトダイオードの研究をしている。今回、低電圧でのアバランシェ増倍に向け、酸化ガリウムを結晶化すること及びスズ(Sn)を添加すること、また、結晶セレンの結晶化時間を長くすることにより、アバランシェ開始電圧を低下させ、光電流の増倍率10倍が得られるフォトダイオードの作製に成功したので報告する。