PDF ダウンロード スケジュール 8 いいね! 0 コメント (0) 16:00 〜 18:00 [10p-PB4-2] 1550nm帯量子ドットのウエハ面内におけるイオン注入深さ調整による組成混晶化領域分け 〇(M1)伊澤 昌平1、赤石 陽太1、松本 敦2、赤羽 浩一2、松島 裕一3、石川 浩1、宇高 勝之1 (1.早大理工、2.情通機構、3.早大GCS機構) キーワード:半導体、量子ドット