[10p-PB4-1~23] 3.13 半導体光デバイス

[10p-PB4-2] 1550nm帯量子ドットのウエハ面内におけるイオン注入深さ調整による組成混晶化領域分け

〇(M1)伊澤 昌平¹、赤石 陽太¹、松本 敦²、赤羽 浩一²、松島 裕一³、石川 浩¹、宇高 勝之¹ (1.早大理工、2.情通機構、3.早大GCS機構)

キーワード：半導体、量子ドット