[10p-PB5-1~55] 17 ナノカーボン（ポスター）

[10p-PB5-34] 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長（４）

〇池田 幸弘¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：層状物質、二硫化タングステン、原子層堆積法

本研究では遷移金属ダイカルコゲナイドWS₂の薄膜成長を，液体前駆体を用いた原子層堆積(ALD)法により試みた。前回は成長温度400 ℃で，複数の基板上でのWS₂薄膜ALD成長を報告した。今回は前もってSiO₂/Si基板上の一部にW薄膜をスパッタし，成長温度を350 ℃に減少させて成長を試みた。Wスパッタ薄膜がないSiO­₂/Si基板上ではWS₂薄膜が成長しない。一方Wを一部にスパッタした基板では，Wスパッタ薄膜が存在しない領域でもWS₂薄膜のALD成長が確認された。