[10p-PB5-1~55] 17 ナノカーボン（ポスター）

[10p-PB5-35] 微傾斜c面サファイア上に成長させたMoS₂の形状異方性

〇(M2)高田 匡平¹、牧野 竜市¹、小松 直人¹、水野 将吾¹、日比野 浩樹^1,2 (1.関西学院大理工、2.NTT物性基礎研)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド

単層TMDCの合成にはCVD法が広く使用されており、特にサファイアなどの結晶基板上ではTMDCの配向が報告されている。これらの形状は正三角形であり、基板の原子配列に依存した配向である。そこで我々はサファイアのステップ－テラス構造に着目し、OFF方向と角度の異なる微傾斜サファイア基板上に成長させた単層MoS₂の形状異方性を研究した。