[10p-PB5-1~55] 17 ナノカーボン（ポスター）

△ [10p-PB5-37] サファイア上GaN成長に対する単層二硫化モリブデンバッファ層の影響

〇(B)小松 直人¹、高橋 正光²、佐々木 拓生²、高田 匡平¹、牧野 竜市¹、日比野 浩樹^1,3 (1.関学大理工、2.量研、3.NTT物性基礎研)

キーワード：二硫化モリブデン、窒化ガリウム、X線回折

サファイアとGaNの結晶格子の間の格子不整合は16%と大きいが、遷移金属ダイカルコゲナイドの一種である二硫化モリブデン(MoS₂)はGaNと格子整合するためバッファ層として注目されている｡本研究ではMoS₂で部分的に覆われたc面サファイア基板上に分子線エピタキシー法によってGaNを結晶成長させ、その場X線回折(XRD)測定を行った。XRD測定およびRaman分光法やSEM、AFMを用いた評価の結果、GaNの結晶方位が単層MoS₂の影響で変化していることがわかった。