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△ [10p-PB5-37] サファイア上GaN成長に対する単層二硫化モリブデンバッファ層の影響
キーワード:二硫化モリブデン、窒化ガリウム、X線回折
サファイアとGaNの結晶格子の間の格子不整合は16%と大きいが、遷移金属ダイカルコゲナイドの一種である二硫化モリブデン(MoS2)はGaNと格子整合するためバッファ層として注目されている。本研究ではMoS2で部分的に覆われたc面サファイア基板上に分子線エピタキシー法によってGaNを結晶成長させ、その場X線回折(XRD)測定を行った。XRD測定およびRaman分光法やSEM、AFMを用いた評価の結果、GaNの結晶方位が単層MoS2の影響で変化していることがわかった。