[10p-PB5-1~55] 17 ナノカーボン（ポスター）

[10p-PB5-54] Al₂O₃ゲート絶縁膜転写法を用いたトップゲートMoS₂ FETの作製

〇川那子 高暢¹、大場 智明¹、小田 俊理¹ (1.東工大量子ナノ研)

キーワード：転写法、高誘電率絶縁膜、二硫化モリブデン