[10p-PB5-1~55] 17 ナノカーボン（ポスター）

[10p-PB5-7] 低速電子線誘起堆積法により低温合成したグラッシーカーボンのナノ構造制御とＴＥＭ観察

〇(M1)赤池 祐輝¹、佐藤 哲也¹、山本 千綾^1,2、山中 淳二² (1.山梨大・院、2.機器分析センター)

キーワード：グラッシーカーボン、低温、TEM

我々は、電子線誘起堆積法と水素原子のトンネル反応を組み合わせた独自の合成法を用いて、炭素系薄膜の低温下における合成の研究を行っている。この方法は、ヘリウムや窒素などの直流放電により生成した低速電子(<200eV)や準安定励起種(He*,etc)を、炭化水素（メタン、アセチレン等）とともに基板照射することで電子励起・分解し効率的に重合する方法である。解離生成したHのトンネル反応やHe*による化学アニーリング反応を併用することにより緻密性が高く低欠陥密度(10¹⁸spins/m³)の水素化アモルファスカーボン(a-C:H)薄膜を合成可能である。本研究では、a-C:H薄膜中に見出されたグラッシーカーボンの発現機構を解明するために、種々の基板を用いてカーボン薄膜を堆積し、透過電子顕微鏡（TEM）による構造観察に最適な方法を模索した。