[10p-S222-1~15] 12.4 有機EL・トランジスタ

[10p-S222-12] 低電圧駆動有機電界効果トランジスタメモリにおけるホールトラップ容量の解析

〇阿部 泰之¹、酒井 平祐¹、村田 英幸¹ (1.北陸先端大)

キーワード：低電圧駆動、Vthシフト、ホールトラップ

本研究では閾値電圧(V_th)シフトとpoly(vinyl cinnamate)(PVCN)層にトラップされるホール数の関係について定量的に解析をした。駆動電圧 5 V を実現するとともに V_thを 40 V 以上シフトさせることに成功した。-160 V以上のプログラミング電圧を印加してもPVCN層にトラップされるホール数が飽和し、さらなるV_thのシフトが起こらなかったと結論づけた。