[10p-S223-1~11] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

[10p-S223-8] 局地磁束バイアスを用いた超伝導単一磁束量子回路の設計と評価

〇浅田 峻汰¹、山梨 裕希¹、吉川 信行¹ (1.横国大理工)

キーワード：局地磁束バイアス

超伝導単一磁束量子回路の高性能化する手段のひとつに超伝導位相シフタを用いることが上げられる。この素子を単一磁束量子回路に導入することで回路動作の安定化や位相シフトによる省面積化、バイアス電流や磁束の削減といった効果が期待できる。本研究では磁束量子を蓄えるストレージループに磁束を印可することによって位相シフトを実現する局地磁束バイアスという方法を用いた。