[10p-S224-1~17] 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

[10p-S224-1] ナノロッド導入(RE)BCO 薄膜の低温J_c(θ) 特性についての新解釈

〇山崎 裕文¹ (1.産総研)

キーワード：(RE)BCO 薄膜、ナノロッド、イントリンシックピンニング

(RE)BCO 薄膜に導入したBaZrO₃等のナノロッドはｃ軸相関ピンであり、臨界電流密度の磁界角度依存性J_c(θ) において、77 K 等の高温度において大きなJ_c(θ) ピークを示す。しかし、30 K 以下の低温度ではｃ軸方向のJ_c(θ)ピークが目立たなくなり、4.2 K ではほとんど出現しない。従来、この現象は、低温度においてのみ有効な点欠陥によるピンニングに帰されていた。今回、イントリンシックピンニングに基づく新解釈を提案する。