[10p-S224-1~17] 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

[10p-S224-16] 傾斜基板上に成長したNdFeAs(O,F)薄膜の臨界電流特性

〇Iida Kazumasa^1,2、松本 拓也¹、近藤 圭祐¹、畑野 敬史¹、生田 博志¹ (1.名大工、2.JST CREST)

キーワード：鉄系超伝導体、傾斜基板、臨界電流特性

鉄系超伝導体LnFeAsO (Ln:ランタノイド) はT_cが58 K に達し，銅酸化物超伝導体に次いで高いことから基礎研究の面で注目を集めている。また，上部臨界磁場は低温で100 T を超え，異方性が銅酸化物超伝導体に比べて小さいことから強磁場用線材としての応用が期待されている。しかし，LnFeAsO はT_cが高いにも関わらず，これまで報告された臨界電流特性はBaFe₂As₂ (Ba-122)系よりも低い。今回，ミスカット基板上に成長したNdFeAs(O,F) 薄膜でBa-122 系を凌ぐ，臨界電流密度J_c =11 MA/cm² を観測したので報告する。