[10p-S224-1~17] 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

[10p-S224-7] BHO添加EuBCOテープの低温強磁場J_c特性

〇淡路 智¹、岡田 達典¹、藤田 真司^1,2、平田 渉²、飯島 康裕²、大保 雅載² (1.東北大金研、2.フジクラ)

キーワード：臨界電流密度、REBCO、強磁場

REBCOテープ線材は，ナノロッドやナノ粒子等の人工ピン導入により磁場中臨界電流密度特性は近年，飛躍的な向上を見せている。特にフジクラではPLD法を用いたEuBCOテープへのBHOナノロッド導入を行い成功を収めている[1]。人工ピンとして導入したBHOは，成膜速度に大きく依存してその組織が変化することで，磁場中臨界電流特性も大きく変化する。5-15 nm/sの低速で作製した試料では，比較的揃ったナノロッドが形成されc軸相関ピンとしての特徴を示す。一方で，20-30 nm/sの高速成膜を行うとナノロッドは短く分断され，異方性の改善はあるもののc軸相関ピンとしての振る舞いは消失し，ランダムピンに近い挙動を示すことが分かっている[2]。今回は，低速で成膜した試料の低温強磁場におけるJ_c特性について報告する。