[10p-W241-1~8] 金属酸化物による新技術の開拓Ⅰ～薄膜形成からデバイス創出に至るまで～

[10p-W241-3] 結晶性酸化物半導体の組成評価とFET特性

〇岡崎 健一¹、生内 俊光¹、保坂 泰靖¹、山﨑 舜平¹ (1.半エネ研)

キーワード：酸化物半導体

IGZOを用いた製品化には結晶性IGZOを用いることが重要であることをこれまでに報告している。結晶性IGZO膜に対してSTEM観察、EDX分析を行い、IGZO膜中の組成とFET特性との対応について評価を行った。EDX分析の結果、Inが多い領域とInが少ない領域ではIGZO膜中の組成比が異なることが確認された。当日は、成膜条件を変化させたIGZO膜中の組成割合とFET特性について報告予定である。