[10p-W321-1~16] 13.9 化合物太陽電池

[10p-W321-11] Cu₂Zn(Sn,Ge)Se₄表面およびCdS/Cu₂Zn(Sn,Ge)Se₄ヘテロ界面の電子状態評価

〇永井 武彦¹、岩本 悠矢²、谷川 昂平²、濱田 博也²、太田 信義²、反保 衆志¹、Kim Shinho¹、柴田 肇¹、松原 浩司¹、仁木 栄¹、寺田 教男² (1.産総研、2.鹿児島大)

キーワード：CZTGSe、ケステライト、正/逆光電子分光法

本発表では、正・逆光電子分光法(UPS・IPES)ならびにX線光電子分光法（XPS）を用い、Cu₂Zn(Sn,Ge)Se₄ (CZTGSe)の表面電子状態、ならびに、CdS/CZTGSeヘテロ接合界面の電気的接合状態について明らかにしたので、これらに関する報告を行う。レーザー照射条件下におけるXPS測定を行うことで、フェルミ準位は、表面欠陥により強くピン止めされていない事を明らかにした。また、CZTGSe上にCdSを段階的に堆積しつつ、XPS、UPS、IPES測定を行うことで、伝導帯オフセット(CBO)および価電子帯オフセット(VBO)を求めた。その結果、伝導帯の接合状態は、スパイクからフラット構造へと変化する事が明らかとなった。