[10p-W321-1~16] 13.9 化合物太陽電池

[10p-W321-14] ミストCVD法によるCu₂SnS₃薄膜の作製

〇木幡 真緒¹、吉久 史貴¹、田中 久仁彦¹ (1.長岡技大)

キーワード：ミストCVD、Cu2SnS3(CTS)

スパッタ法などの真空装置を使用した成膜プロセスではコストが高い点が問題となっている。また、現在主流となっている化合物太陽電池にはレアメタルが使われており、その点も高コストの原因となっている。そこで本研究では、ミストCVD法という真空装置を使用しない成膜方法を採用し、かつレアメタルを使わず、光吸収係数が10⁴ cm^-1以上、変換効率が4%を超えているなど薄膜太陽電池光吸収層として適した特性を持つCu₂SnS₃(CTS)薄膜の作製を試みた。