[10p-W321-1~16] 13.9 化合物太陽電池

[10p-W321-3] CdS/エピタキシャルCu(In,Ga)Se₂界面の電子構造評価

〇(M1)谷川 昂平¹、岩本 悠矢¹、髙木 佑誠¹、西園 由朗¹、西永 慈郎²、永井 武彦²、仁木 栄²、寺田 教男^1,2 (1.鹿児島大、2.産総研)

キーワード：エピタキシャルCIGS、正・逆光電子分光

CIGS系太陽電池では、バンドギャップ傾斜が再結合抑制・キャリア輸送に有益であること、粒界がキャリア再結合を抑制する電子構造を持つこと等から多結晶層を用いることが高効率発現に重要とされてきた。一方、エピタキシャル成長条件を最適化したCIGS(epi.-CIGS)層を用いた電池が20%を発現することが報告されている。今回epi.-CIGS表面状態、CdS/epi.-CIGS界面バンド接続を正・逆光電子分光法により評価したので報告する。