[10p-W321-1~16] 13.9 化合物太陽電池

[10p-W321-4] Se照射プロセスによるCu(In,Ga)Se₂表面Cu-Se相の変化

〇池 承桓¹、Suyama Naoki¹、Nakada Kazuyoshi¹、Yamada Akira¹ (1.Tokyo tech.)

キーワード：CIGS太陽電池、Cu-Se相、Se照射プロセス

これまで本研究室では，n型バッファ層/Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)ヘテロ接合界面での再結合速度を低減する手法として，Se照射プロセスを開発してきた。これは，界面にCu欠損層(CDL)を導入，価電子帯オフセット(ΔE_V)を形成することにより界面再結合を制御する手法である。今回は，CDL形成のメカニズムについて検討を加えたので報告する。