[10p-W323-1~16] 6.4 薄膜新材料

[10p-W323-3] 乱流を用いたCVD法によるMoS₂ナノチューブの合成

〇(B)後藤 真菜美¹、柳瀬 隆²、長浜 太郎²、島田 敏宏² (1.北大工、2.北大院工)

キーワード：MoS2、CVD、ナノチューブ

MoS₂ NTは半導体や触媒としての高機能化が期待されている。本研究室ではFeOナノ粒子触媒を用いたCVD法によりMoS₂ナノチューブ（NT）の合成に成功している。本実験では乱流を用いて、より簡便なMoS₂ NTの合成を試みた。得られたサンプルはzig zag タイプであり、断面TEMからチューブ形状が確認された。本手法では触媒が不要であり、また触媒とMoS₂ NTの分離が必要ない。