[10p-W323-1~16] 6.4 Thin films and New materials

△ [10p-W323-5] Epitaxial growth of EuH₂ thin films using reactive magnetron sputtering

〇(M1)Yuya Komatsu¹, Ryota Shimizu^1,2, Shigeru Kobayashi¹, Kazunori Nishio¹, Taro Hitosugi¹ (1.Tokyo Tech, 2.JST-PRESTO)

Keywords:rare-earth hydride, epitaxial thin films, reactive sputtering

希土類水素化物は、水素脱挿入や光照射など多様な外場操作によって可逆的な電気的・光学的特性変化を示す興味深い物質群である。ユウロピウム二水素化物(EuH₂)は強磁性半導体として知られるが、Eu薄膜を金属Pd極薄膜を触媒として水素化した報告例しかなく、真の電子物性測定が困難であった。そこで本研究では、反応性マグネトロンスパッタ法を用いたEuH₂エピタキシャル薄膜の直接合成を試みたので報告する。