The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[10p-W323-1~16] 6.4 Thin films and New materials

Sun. Mar 10, 2019 1:45 PM - 6:15 PM W323 (W323)

Hiroaki Nishikawa(Kindai Univ.), Akira Ohtomo(Tokyo Tech)

3:15 PM - 3:30 PM

[10p-W323-6] Influence of impurity doping on structure and property of
PLD-grown layered La-Ni-O system thin films

〇(M1)Yoshiki Horimatsu1, Shoyo Ito1, Nobuo Tsuchimine2, Satoshi Kaneko3,1, Akihumi Matsuda1, Mamoru Yoshimoto1 (1.Tokyo Tech.Materials, 2.TOSHIMA Manu. Co., 3.KISTEC)

Keywords:Lanthanum nickel oxide, PLD, Layered Perovskite

層状ペロブスカイト型遷移金属酸化物であるLan+1NinO3n+1は,単位胞内の八面体層の数によって構造と物性が変化する。例えばLa3Ni2O7-δは固体酸化物形燃料電池としても研究がなされてきた。一方、La層にドープすることで電子がNiO2層に作用することで新規な電子機能に期待できる。本研究では層状ペロブスカイト型La3Ni2O7-δへの不純物ドープによる新規電子機能探索を目的として、合成条件に加えて価数4+の元素によるLa3+置換が、La-Ni-O系薄膜の構造と特性に与える影響を検討した。