The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[10p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

Sun. Mar 10, 2019 1:30 PM - 7:00 PM W541 (W541)

Motoaki Iwaya(Meijo Univ.), Yoshio Honda(Nagoya Univ.), Shugo Nitta(Nagoya Univ.)

4:00 PM - 4:15 PM

[10p-W541-10] Development of Waveguide Mach-Zehnder Interferometer for Quantum Optical Application: Fabrication of GaN / n-AlGaN Directional Coupler

〇(M1)Masafumi Kihira1, Junya Miwa1, Tenta Komatsu1, Masahiro Uemukai1, Ryuji Katayama1 (1.Grad. School of Eng., Osaka Univ.)

Keywords:GaN, directional coupler, optical waveguide

本研究では電界印加型位相シフタを含むMZIの作製にむけて、GaN導波層の下にn-AlGaN導電性クラッド層を設けた導波路構造においてGaN DCの設計を行った。3次元ビーム伝搬法(BPM)により波長810 nm(TM基本モード)における1:1分波 DCの設計を行った。次に結合導波路間隔0.30 μm のときの1:1分波結合長L1:1の導波路幅依存性を調べた。