The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[10p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

Sun. Mar 10, 2019 1:30 PM - 7:00 PM W541 (W541)

Motoaki Iwaya(Meijo Univ.), Yoshio Honda(Nagoya Univ.), Shugo Nitta(Nagoya Univ.)

2:45 PM - 3:00 PM

[10p-W541-6] Fabrication Process of InGaN Single-Mode Laser Using Periodically Slotted Structure

〇(M1)Daiki Tazuke1, So Kusumoto1, Akihiro Higuchi1, Jumpei Tajima2, Toshiki Hikosaka2, Shinya Nunoue2, Masahiro Uemukai1, Ryuji Katayama1 (1.Osaka Univ., 2.R&D Center, Toshiba Corp.)

Keywords:Laser, InGaN, slotted structure

400 nm帯で良好な単一モードレーザは作製が困難であることからその報告例は少ない。我々は高分解能EBリソグラフィや結晶再成長を必要としないスロットと呼ばれる幅0.5~1.0 µm程度の溝構造を周期的に形成したレーザで800 nm帯で単一モード発振に成功しており、このスロット構造は400 nm帯にも適用することが出来る。本研究では400 nm帯InGaN周期的スロット構造単一モードレーザの設計および作製プロセスの検討を行った。