[10p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10p-W541-7] Fabrication and optical characteristics of GaN-QPM crystal using double polarity selective area growth

〇Kai Matsuhisa¹, Yuto Kobayashi¹, Atsushi Sugita¹, Yoku Inoue¹, Takayuki Nakano¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:GaN, MOVPE, DP-SAG

GaNはc軸方向に対しGa極性面およびN極性面が存在する．各極性の特徴を利用し，極性構造を用いることでQPM結晶が作製可能であり，SHGデバイスの実現として期待されている．GaN-QPM結晶の作製方法としてカーボンマスクを用いた両極性同時成長法が提案され，開発されている．本研究では現在までに確認された狭ピッチパターン両極性同時成長法の最適条件を用いてGaN-QPM結晶の作製を行い，光学特性を評価した．