The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[10p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

Sun. Mar 10, 2019 1:30 PM - 7:00 PM W541 (W541)

Motoaki Iwaya(Meijo Univ.), Yoshio Honda(Nagoya Univ.), Shugo Nitta(Nagoya Univ.)

3:15 PM - 3:30 PM

[10p-W541-8] Input Grating Coupler for AlN Optical Waveguide Wavelength Conversion Device

〇(M1)Yoshiki Morioka1, Shuhei Yamaguchi1, Kanako Shojiki2, Yusuke Hayashi3, Hideto Miyake2,3, Keishi Shiomi1, Yasufumi Fujiwara1, Masahiro Uemukai1, Ryuji Katayama1 (1.Grad.School of Eng., Osaka Univ., 2.Grad.School of Eng., Mie Univ., 3.Grad.School of RIS, Mie Univ.)

Keywords:AlN, Grating Coupler, optical waveguide

これまで我々は深紫外光発生用AlN極性反転積層チャネル導波路第2高調波発生デバイスの設計について報告した。しかし、その導波路断面は微小であり端面結合によるレーザ光入射は困難である。光導波路型グレーティング結合器を用いれば、その開口の大きさから端面結合に比べ入射ビームの位置合わせが格段に容易となる。本研究では、AlNスラブ導波路にレーザ光を結合させる入力グレーティング結合器の設計と試作結果を示す。