[10p-W631-1~12] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[10p-W631-12] TCADによる強誘電体負性容量分極のコヒーレンシーとその時間的発展のシミュレーション

〇太田 裕之¹、池上 努¹、福田 浩一¹、服部 淳一¹、浅井 栄大¹、遠藤 和彦¹、右田 真司¹、鳥海 明² (1.産総研、2.東大)

キーワード：強誘電性、負性容量、急峻サブシュレショルド係数

不均一な強誘電体分極を考慮したモデルを内製TCAD（Impulse TCAD）で開発し、マルチドメイン状態からシングルドメイン負性容量状態の分極への遷移過程を計算した。具体的には、金属/強誘電体/SiO₂層/金属構造において、自発分極した２つのドメイン状態を初期状態にする。その後、0Ｖにした状態で分極の時間発展を計算した。その結果、分極間の相互作用が強く、分極ドメイン壁がデバイスサイズより大きい場合はシングルドメインとなるが、相互作用が弱くなるにつれ、マルチドメイン分極が維持されやすくなることを明らかにした。