[10p-W631-1~12] CS.5 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[10p-W631-2] The effect of O₂ partial pressure during sputtering on the crystallographic and
electrical properties of HfO₂-based thin films

〇Yuki Saho¹, Kenshi Takada¹, Daisuke Kiriya¹, Takeshi Yoshimura¹, Atsushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:HfO2-based thin films, electrical properties

HfO₂基強誘電体薄膜の強誘電相はドーピングや膜厚の効果に加え、適切な量の酸素欠損を導入することによって強誘電相が安定化することが知られている[1,2]。そのため、スパッタ法を用いて作製された強誘電性HfO₂の多くは無酸素下で成膜されている[3]。今回スパッタ法において放電ガスに0.2~13mPa程度の微量酸素を添加した際の成膜時の酸素分圧がHfO₂系薄膜の結晶構造を精査した結果、酸素分圧が0.26mPa以下においては非晶質が形成し、1.3mPa以上の酸素分圧においては最安定相である単斜晶に結晶することがわかった。本講演では、微量酸素添加がその薄膜の電気特性におよぼす影響を検討した。