[10p-W631-1~12] CS.5 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[10p-W631-6] Stability of orthorhombic and monoclinic HfO₂ in charged states: first-principles study

〇Yuto Shiraishi¹, Riki Nagasawa¹, Masaaki Aradai², Kenji Shiraishi², Takashi Nakayama¹ (1.Chiba Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:HfO2, Ferroelectric, first-principles calculation

HfO₂は様々な結晶構造を持ち、特に斜方晶HfO₂は強誘電性を示し、次世代の不揮発性メモリー材料等として期待されている。Si等をdopingすると強誘電相の安定性が増すことが指摘されているがその起源は未だ明らかでない[1]。一方、第一原理計算によると単斜晶が最安定であり、斜方晶は準安定であることが知られている[2]。どのような仕組みで斜方晶が安定になるかは興味深い。そこで本研究では、帯電に注目し、斜方晶と単斜晶の安定性の帯電依存性を第一原理計算により検討した。