[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-W641-1] 電子デバイスへの応用に向けたNiO薄膜およびNiO/絶縁膜に与えるポストプロセスの影響

〇岡田 浩明¹、王 澤樺¹、田沼 涼¹、杉山 睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

キーワード：酸化ニッケル、RFスパッタ、薄膜トランジスタ