[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-W641-10] Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt素子における準高抵抗状態の発現

〇(M1)宮谷 俊輝¹、西 佑介¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：抵抗変化、抵抗変化型メモリ