2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年3月10日(日) 13:45 〜 18:15 W641 (W641)

木下 健太郎(東理大)、西 佑介(京大)

17:15 〜 17:30

[10p-W641-14] 素子領域へのプローブ接触が抵抗スイッチング特性に与える影響

落合 克行1,2、木下 健太郎1、金子 拓海1、上沼 睦典3、浦岡 行治3 (1.東理大理、2.鳥取大工、3.奈良先端大)

キーワード:抵抗変化メモリ、SrTiO3、ペロブスカイト