[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [10p-W641-15] MOF単結晶の選択成長による微細CBRAM素子への導入

〇(M1)清水 敦史^1,2、木下 健太郎¹、中畝 悠介¹、島 久²、高橋 慎²、内藤 泰久²、秋永 広幸² (1.東理大理、2.産総研)

キーワード：金属有機構造体、抵抗変化型メモリ、導電性ブリッジメモリ

導電性ブリッジメモリ(CBRAM)は，アナログ動作が可能で，ニューロデバイス利用に向けた研究が盛んである．しかし，CBRAMには，スイッチ電圧や抵抗比がばらつく等の課題がある．この課題を解決するため，我々はCBRAMのメモリ層を従来の金属酸化物膜から金属有機構造体(MOF)に置き換えることを提案してきた．今回，実デバイス構造にMOFを導入するため，MOFを選択的に合成する手法を提案すると同時に，同素子で確認されたCBRAM動作について報告する．