2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年3月10日(日) 13:45 〜 18:15 W641 (W641)

木下 健太郎(東理大)、西 佑介(京大)

17:45 〜 18:00

[10p-W641-16] CBRAMのフォーミング過程におけるTEMその場観察

武藤 恵1、酒井 慎弥1、福地 厚1、有田 正志1、高橋 庸夫1 (1.北大院情報)

キーワード:抵抗変化メモリ、CBRAM、TEM

Cu-WOX系CBRAMのフォーミング過程をTEMその場観察した。複数回の正電圧スイープ印加の結果、明瞭なフィラメントが形成されない、緩やかなフォーミング動作が確認できた。その際、Cu電極間ギャップの広がりが確認できたため、絶縁体中にCuが拡散していると考えられる。フォーミング後のCBRAMはset/reset動作を見せた。以上の結果は、絶縁体中にCuを適度に拡散させることで、CBRAMがフィラメントを伴わずに動作する可能性を示唆する。