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△ [10p-W641-16] CBRAMのフォーミング過程におけるTEMその場観察
キーワード:抵抗変化メモリ、CBRAM、TEM
Cu-WOX系CBRAMのフォーミング過程をTEMその場観察した。複数回の正電圧スイープ印加の結果、明瞭なフィラメントが形成されない、緩やかなフォーミング動作が確認できた。その際、Cu電極間ギャップの広がりが確認できたため、絶縁体中にCuが拡散していると考えられる。フォーミング後のCBRAMはset/reset動作を見せた。以上の結果は、絶縁体中にCuを適度に拡散させることで、CBRAMがフィラメントを伴わずに動作する可能性を示唆する。