[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [10p-W641-17] 低電流動作時のCu/MoO_x/Al₂O₃ CBRAMにおけるCu-CFの観察

石川 竜介¹、〇有馬 克紀¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹、工藤 昌輝²、松村 晶² (1.北大院情報、2.九大超顕微セ)

キーワード：抵抗変化メモリ、透過型電子顕微鏡、CBRAM

ReRAMは動作機構や故障原因が不明なため、それらを解析し信頼性を改善する必要がある。本研究では2層絶縁層構造ReRAMに対してTEMその場観察を行った。その結果、低電圧、低電流駆動時にはCuの絶縁層中への拡散が抑制され、特定のフィラメントによる安定した抵抗変化が確認された。また繰り返し動作中にCuが1層目の絶縁層中に多量に拡散した場合でも、複数回の負電圧印加によりリカバリーできることを確認した。