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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年3月10日(日) 13:45 〜 18:15 W641 (W641)

木下健太郎(東理大)、西佑介(京大)

15:15 〜 15:30

[10p-W641-7] 多結晶HfO₂における酸素欠陥の拡散・凝集箇所に関する理論的検討

〇(M2)肥田聡太^1,2,3、森田巧¹、山崎隆浩³、奈良純³、大野隆央³、木下健太郎¹ (1.東理大理、2.鳥取大工、3.物材機構)

キーワード：抵抗変化メモリ、HfO2、第一原理計算