[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-W641-8] 多結晶NiO薄膜における溶媒供給効果の理論的検討

〇(M2)肥田 聡太^1,2,3、酒井 貴弘¹、森田 巧¹、山崎 隆浩³、奈良 純³、大野 隆央³、木下 健太郎¹ (1.東理大理、2.鳥取大工、3.物材機構)

キーワード：抵抗変化メモリ、NiO、第一原理計算