2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年3月10日(日) 13:45 〜 18:15 W641 (W641)

木下 健太郎(東理大)、西 佑介(京大)

15:30 〜 15:45

[10p-W641-8] 多結晶NiO薄膜における溶媒供給効果の理論的検討

〇(M2)肥田 聡太1,2,3、酒井 貴弘1、森田 巧1、山崎 隆浩3、奈良 純3、大野 隆央3、木下 健太郎1 (1.東理大理、2.鳥取大工、3.物材機構)

キーワード:抵抗変化メモリ、NiO、第一原理計算