[10p-W833-1~17] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [10p-W833-11] Ag/Pt電極を用いたGe-(Sb)-Te薄膜におけるガンマ線照射に対する可逆な抵抗変化

〇(B)渡部 達也¹、朴 孝晟¹、依田 功²、正光 義則³、川崎 繁男³、中岡 俊裕¹ (1.上智理工、2.東工大、3.宇宙航空研究開発機構　宇宙科学研究所)

キーワード：カルコゲナイド、放射線センサー、ガンマ線

Ge-(Sb)-Te薄膜は相変化メモリ等に応用されている代表的な相変化材料であり、我々はこれを用いた放射線センサーへの応用を進めている。これまでに、Ge-(Sb)-TeにAg電極を用いたAgの異常拡散に基づくガンマ線照射による抵抗変化を報告してきた。本研究ではAg電極を不活性なPtにより保護して電極構造を改善することによって、ガンマ線照射に対し、10kΩ付近の抵抗値において安定した可逆な抵抗変化を示す素子を作製できたのでこれを報告する。