[10p-W833-1~17] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[10p-W833-13] アモルファスGe₄₀S₆₀薄膜の光酸化現象 -X線・中性子反射率法による光酸化膜の観測-

〇坂口 佳史¹、花島 隆泰¹、青木 裕之²、アルアミン サイモン³、マリア ミトコバ³ (1.CROSS、2.原子力機構、3.ボイジー州立大学)

キーワード：アモルファスカルコゲナイド、光酸化、X線・中性子反射率法

我々は、アモルファスGe₄₄S₅₆薄膜に大気中で約80mWの441.6 nmのレーザー光を照射し、ラマン散乱測定を行うと、はじめはGe₄₀S₆₀バルクと同じ形状のスペクトルであったのが、徐々に変化し、約20分後にはGe₃₃S₆₇ (GeS₂)と同様のスペクトルに変化することを見出した。本講演では、X線・中性子反射率法を用い、表面に生成されたと考えられる光酸化膜の存在を確認し、その厚みや、光照射中の時間変化について調べた結果を報告する。