2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[10p-W833-1~17] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2019年3月10日(日) 13:15 〜 17:45 W833 (W833)

正井 博和(産総研)、吉田 憲充(岐阜大)、中岡 俊裕(上智大)

17:15 〜 17:30

▲ [10p-W833-16] Contact resistance change memory with N-doped Cr2Ge2Te6 phase change material

〇YI SHUANG1、Yuji Sutou1、Shogo Hatayama1、Satoshi Shindo1、Song Yunheub2、Daisuke Ando1、Junichi Koike1 (1.Tohoku Univ.、2.Hanyang Univ.)

キーワード：Non-volatile memory, Phase change material