[10p-W833-1~17] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[10p-W833-7] 表面粗さを変化させたテクスチャガラス基板が電子線蒸着非晶質Si膜のFLAでの結晶化機構に与える影響

〇倉田 啓佑¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端科学技術大学院大学)

キーワード：フラッシュランプアニール、シリコン、結晶化

表面粗さを変更したテクスチャガラス基板上に形成したEB蒸着a-Si膜に対しFLAを行い、発現する結晶化機構の変化について調査を行った。ラマンスペクトルから導出した半値幅から平坦基板上とRIE処理を60–90 min行ったガラス基板上において過去に報告されているECと同様の結晶化機構の発現が確認された。しかし、RIE処理100 min以上の試料では半値幅から小粒径化することが示唆され、RIE処理100 min以上の試料ではECの発現が抑制されたと考えられる。