[10p-W833-1~17] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [10p-W833-8] 低温イットリア原子層堆積法の開発

〇齋藤 健太郎¹、鹿又 健作²、三浦 正範²、有馬 ボシールアハンマド¹、久保田 繁¹、廣瀬 文彦¹ (1.山形大院理工、2.山形大院有機)

キーワード：原子層堆積法、イットリア、高誘電率材料

イットリア(Y₂O₃)は高誘電率材料であるため、MOSFETのゲート絶縁膜への応用が期待されている。従来のY2O3薄膜の製膜手法は200 ℃以上の高温を必要とするため、高温で変性する有機基板上での成膜は困難であり、Y₂O₃薄膜をフレキシブルデバイスに応用することは困難である。我々はtris(butylcyclopentadiyl)yttriumを原料ガスに、プラズマ励起加湿アルゴンを酸化ガスに用いた低温Y₂O₃ALDを開発した。基板の加熱温度は80 ℃程度であるためフレキシブル基板へのY₂O₃薄膜の形成も可能になる。